特許
J-GLOBAL ID:200903032893456478
多層配線基板
発明者:
,
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-262416
公開番号(公開出願番号):特開2008-085035
出願日: 2006年09月27日
公開日(公表日): 2008年04月10日
要約:
【課題】ビアホール導体が絶縁基板の表面から大きく突出することのない実装性の良好な多層配線基板を提供する。【解決手段】本発明の多層配線基板は、ガラスセラミックスからなる第一の絶縁層と、該第一の絶縁層を構成するガラスセラミックスの焼成収縮の終了よりも高い温度で焼成収縮を開始するガラスセラミックスからなる第二の絶縁層とが交互に積層され、表層に前記第一の絶縁層が配置されてなる絶縁基板1と、絶縁基板1の表面および内部に設けられた配線導体層2,3と、絶縁基板1の内部に設けられたビアホール導体4とを具備してなり、表層a1を貫通する第一のビアホール導体4aの直径が、表層a1に隣接する第二の絶縁層b1を貫通し第一のビアホール導体4aと接続する第二のビアホール導体4bの直径よりも小さいことを特徴とする。【選択図】図2
請求項(抜粋):
ガラスセラミックスからなる第一の絶縁層と、該第一の絶縁層を構成するガラスセラミックスの焼成収縮の終了よりも高い温度で焼成収縮を開始するガラスセラミックスからなる第二の絶縁層とが交互に積層され、表層に前記第一の絶縁層が配置されてなる絶縁基板と、
該絶縁基板の表面および内部に設けられた配線導体層と、
前記絶縁基板の内部に設けられたビアホール導体とを具備してなり、
前記表層を貫通する第一のビアホール導体の直径が、前記表層に隣接する前記第二の絶縁層を貫通し前記第一のビアホール導体と接続する第二のビアホール導体の直径よりも小さいことを特徴とする多層配線基板。
IPC (1件):
FI (2件):
Fターム (20件):
5E346AA12
, 5E346AA15
, 5E346AA43
, 5E346CC18
, 5E346CC32
, 5E346CC34
, 5E346CC38
, 5E346CC39
, 5E346DD34
, 5E346DD45
, 5E346EE21
, 5E346EE27
, 5E346FF01
, 5E346FF18
, 5E346GG04
, 5E346GG05
, 5E346GG06
, 5E346GG08
, 5E346GG09
, 5E346HH33
引用特許:
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