特許
J-GLOBAL ID：200903071813122600

セラミック回路基板およびその製法

発明者：
古瀬 辰治

古瀬 辰治 について

, 
平原 誠一郎

平原 誠一郎 について

, 
中澤 秀司

中澤 秀司 について


出願人/特許権者：
京セラ株式会社

京セラ株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-260271
公開番号（公開出願番号）：特開2003-069236
出願日： 2001年08月29日
公開日（公表日）： 2003年03月07日
要約：
【要約】【課題】異なる焼成収縮開始温度を有する複数の絶縁層を同時焼成しても基板の主面(xーy)方向における収縮率を容易にかつ安価に小さくして、回路基板の寸法精度を改善できる回路基板およびその製法を提供する。【解決手段】SiO2:10〜40質量%、MgO:35〜60質量%、B2O3:10〜30質量%と、CaO、Al2O3、SrO、ZnO、TiO2、Na2O、BaO、SnO2、P2O3、ZrO2およびLi2Oの群から選ばれる少なくとも1種を0〜30質量%を含有する低温側から焼成収縮する絶縁層A1a、1gと、絶縁層A1a、1gと同成分からなり絶縁層A1a、1gよりも高温側から焼成収縮する絶縁層B1b〜1fとを積層して一体焼成する。
請求項（抜粋）：
少なくとも結晶化ガラスを含み焼成収縮開始温度の異なる少なくとも2種の絶縁層A、Bを積層してなる基板の表面および/または内部に導体層を形成してなるセラミック回路基板であって、前記絶縁層のうち、低温側で焼成収縮する絶縁層Aに含まれる前記結晶化ガラスが、SiO2:10〜40質量%、MgO:35〜60質量%、B2O3:10〜30質量%と、CaO、Al2O3、SrO、ZnO、TiO2、Na2O、BaO、SnO2、P2O3、ZrO2およびLi2Oの群から選ばれる少なくとも1種を0〜30質量%を含有するとともに、高温側で焼成収縮する絶縁層Bに含まれる前記結晶化ガラスが、SiO2:20〜50質量%、MgO:3〜25質量%と、B2O3、CaO、Al2O3、SrO、ZnO、TiO2、Na2O、BaO、SnO2、P2O3、ZrO2およびLi2Oの群から選ばれる少なくとも1種を0〜55質量%を含有することを特徴とするセラミック回路基板。
IPC (3件)：
H05K 3/46 ,  C03C 8/14 ,  H05K 1/03 610
FI (4件)：
H05K 3/46 T ,  H05K 3/46 H ,  C03C 8/14 ,  H05K 1/03 610 D
Fターム (141件)：
4G062AA08 ,  4G062AA11 ,  4G062BB01 ,  4G062DA04 ,  4G062DA05 ,  4G062DB01 ,  4G062DB02 ,  4G062DB03 ,  4G062DB04 ,  4G062DB05 ,  4G062DB06 ,  4G062DC01 ,  4G062DC02 ,  4G062DC03 ,  4G062DC04 ,  4G062DC05 ,  4G062DC06 ,  4G062DD01 ,  4G062DD02 ,  4G062DD03 ,  4G062DD04 ,  4G062DD05 ,  4G062DD06 ,  4G062DE01 ,  4G062DE02 ,  4G062DE03 ,  4G062DE04 ,  4G062DE05 ,  4G062DE06 ,  4G062DF01 ,  4G062EA01 ,  4G062EA02 ,  4G062EA03 ,  4G062EA04 ,  4G062EA05 ,  4G062EA06 ,  4G062EB01 ,  4G062EB02 ,  4G062EB03 ,  4G062EB04 ,  4G062EB05 ,  4G062EB06 ,  4G062EC01 ,  4G062ED03 ,  4G062ED04 ,  4G062ED05 ,  4G062ED06 ,  4G062EE01 ,  4G062EE02 ,  4G062EE03 ,  4G062EE04 ,  4G062EE05 ,  4G062EE06 ,  4G062EF01 ,  4G062EF02 ,  4G062EF03 ,  4G062EF04 ,  4G062EF05 ,  4G062EF06 ,  4G062EG01 ,  4G062EG02 ,  4G062EG03 ,  4G062EG04 ,  4G062EG05 ,  4G062EG06 ,  4G062FA01 ,  4G062FA10 ,  4G062FB01 ,  4G062FB02 ,  4G062FB03 ,  4G062FB04 ,  4G062FB05 ,  4G062FB06 ,  4G062FC01 ,  4G062FC02 ,  4G062FC03 ,  4G062FC04 ,  4G062FC05 ,  4G062FC06 ,  4G062FD01 ,  4G062FE01 ,  4G062FE02 ,  4G062FE03 ,  4G062FE04 ,  4G062FE05 ,  4G062FE06 ,  4G062FF01 ,  4G062FG01 ,  4G062FH01 ,  4G062FJ01 ,  4G062FK01 ,  4G062FL01 ,  4G062GA01 ,  4G062GA10 ,  4G062GB01 ,  4G062GC01 ,  4G062GD01 ,  4G062GE01 ,  4G062HH01 ,  4G062HH03 ,  4G062HH05 ,  4G062HH07 ,  4G062HH09 ,  4G062HH11 ,  4G062HH13 ,  4G062HH15 ,  4G062HH17 ,  4G062HH20 ,  4G062JJ01 ,  4G062JJ03 ,  4G062JJ05 ,  4G062JJ07 ,  4G062JJ10 ,  4G062KK01 ,  4G062KK03 ,  4G062KK05 ,  4G062KK07 ,  4G062KK10 ,  4G062MM07 ,  4G062MM27 ,  4G062MM28 ,  4G062NN29 ,  4G062PP02 ,  4G062PP03 ,  4G062PP09 ,  5E346AA12 ,  5E346AA15 ,  5E346AA24 ,  5E346AA38 ,  5E346BB01 ,  5E346CC18 ,  5E346DD02 ,  5E346DD34 ,  5E346EE24 ,  5E346EE29 ,  5E346FF18 ,  5E346GG03 ,  5E346GG04 ,  5E346GG08 ,  5E346GG09 ,  5E346HH11
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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