特許
J-GLOBAL ID:200903032897186602

試料加工方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 林 敬之助
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平5-300322
公開番号(公開出願番号):特開平7-151658
出願日: 1993年11月30日
公開日(公表日): 1995年06月16日
要約:
【要約】【目的】 走査型電子顕微鏡(TEM)観察用の試料作成を容易に且つ精度良く加工する方法を提供する。【構成】 TEMにて観察する部分をほぼ中央位置にして機械的加工により試料切断したものを、集束イオンビーム加工装置に導入し、その表面を集束イオンビーム照射により観察する。観察像に基づいて、観察位置に集束イオンビームを繰り返し走査し、有機化合物蒸気を吹きつけて、パターン膜を形成する。このパターン膜をマスクにして、集束イオンビーム等を繰り返し走査しながら、イオンビームにてアシストされるエッチングガスを吹きつける。そうすると、TEM観察する部分の断面を有する試料が作成される。断面の位置精度が良くなり、従来の試行錯誤的加工は不要となった。
請求項(抜粋):
試料の表面の矩形形状の第1の所定領域に、走査しながら集束イオンビームを繰り返し照射しながら、有機化合物蒸気を前記第1の所定領域に小径のノズルから吹きつけて、試料の前記第1の所定領域に、前記有機化合物の前記集束イオンビームにより分解された分解物質よりなる膜を形成し、前記試料表面の前記第1の所定領域のすくなくとも一部を含む第2の所定領域に、走査しながら集束イオンビームを繰り返し照射しながら、前記集束イオンビームによりエッチング作用の効果が大きくなるエッチングガスを前記第2の所定領域に小径のノズルから吹きつけることにより前記第1の所定領域に形成された膜をマスクにして前記第2の所定領域をエッチング除去することを特徴とする試料加工方法。
IPC (5件):
G01N 1/32 ,  C23C 16/48 ,  C23F 4/00 ,  H01J 37/305 ,  H01J 37/317
引用特許:
審査官引用 (4件)
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