特許

J-GLOBAL ID：200903032907678690

パワー半導体装置

発明者： 中島 泰 ,  吉田 貴信 ,  前田 浩明
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (3件)： 河宮 治 ,  山田 卓二 ,  中野 晴夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-365755
公開番号（公開出願番号）：特開2005-129826
出願日： 2003年10月27日
公開日（公表日）： 2005年05月19日
要約：

【課題】 ゲート発振を防止し、かつ小型化を可能とした自己消弧型パワー半導体装置を提供する。【解決手段】 複数のパワー半導体素子2を有する自己消弧型パワー半導体装置が、放熱板1と、放熱板1上に配置された複数のパワー半導体素子2と、複数のパワー半導体素子2のゲート電極Gが並列に接続されたリードフレーム3と、放熱板1上に、パワー半導体素子2を覆うように設けられた封止樹脂とを含む。ゲート電極Gとリードフレーム3とは、金属抵抗体5を介して接続される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

複数のパワー半導体素子を有する自己消弧型パワー半導体装置であって、 放熱板と、 該放熱板上に配置された複数のパワー半導体素子と、 複数の該パワー半導体素子のゲート電極が並列に接続されたリードフレームと、 該放熱板上に、該パワー半導体素子を覆うように設けられた封止樹脂とを含み、 該ゲート電極と該リードフレームとが、金属抵抗体を介して接続されたことを特徴とするパワー半導体装置。

IPC (2件)：

H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (1件)：

H01L25/04 C

引用特許：

出願人引用 (1件)

• パワー半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-002388   出願人：株式会社日立製作所, 日立原町電子工業株式会社