特許
J-GLOBAL ID：200903032907702213
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
恩田 博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-265243
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122742
出願日： 1993年10月22日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：
【要約】【目的】欠陥の発生を防止することが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。【構成】サイドウォール・スペーサ7をBPSGによって形成し、その断面形状が緩やかな裾広がり状になるようにリフローする。そのため、n+ 層5bを形成するためのイオン注入において形成されるアモルファス層14の断面形状は、サイドウォール・スペーサ7の断面形状を反映したものになる。つまり、アモルファス層14の端部はシリコン基板1に対して緩やかな角度をもって形成される。従って、熱処理による再結晶化時には、(100)シリコン基板1の表面に対して垂直な方向(100)の結晶成長だけが起こり、水平な方向(110)の結晶成長は起こらない。そのため、(111)方向に結晶の不連続(欠陥発生の核)が生じることはなく、欠陥が発生することもない。
請求項（抜粋）：
低濃度ドープドレイン構造の半導体装置において、ゲート電極(3)の側壁に、断面形状が緩やかな裾広がり状を呈したサイドウォール・スペーサ(7)を設けたことを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/78
, H01L 21/336
, H01L 21/265
, H01L 21/266
H01L 29/78 301 L
, H01L 21/265 Q
, H01L 21/265 M
