特許

J-GLOBAL ID：200903032929830959

シリコンウエハの製造方法

発明者： 小宮 聡 ,  芳野 史朗 ,  段畠 政善 ,  林田 広一郎
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 正林 真之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-241185
公開番号（公開出願番号）：特開2001-064095
出願日： 1999年08月27日
公開日（公表日）： 2001年03月13日
要約：

【要約】【課題】 窒素をドーピングしつつ、半導体デバイス用として十分な特性を備えたシリコンウエハを製造することができる方法を提供する。【解決手段】 チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を引上げてシリコンインゴットを製造する方法において、窒素をドーピングして、窒素濃度が5×1013atoms/cm3から4×1014atoms/cm3となる部分を形成する条件でシリコン単結晶を引上げてシリコンインゴットを製造し、ここから窒素濃度が1×1014atoms/cm3から4×1014atoms/cm3の範囲内にある非酸化性熱処理用シリコンウエハを切り出す。

請求項（抜粋）：

窒素濃度が1×1014atoms/cm3から4×1014atoms/cm3の範囲内にある非酸化性熱処理用シリコンウエハ。

Fターム (5件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077CF10 ,  4G077EB01 ,  4G077FE05

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 低欠陥密度を有するシリコン半導体ウエハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-201762   出願人：ワッカー・ジルトロニク・ゲゼルシャフト・フュア・ハルブライターマテリアリエン・アクチェンゲゼルシャフト