特許

J-GLOBAL ID：200903032958047600

CMOS画像センサー

発明者： アウグスト、カルロス・ジョタ・エルリ・ペー
出願人/特許権者： クォンタム セミコンダクター リミテッド ライアビリティ カンパニー
代理人 (2件)： 朝日奈 宗太 ,  秋山 文男
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-558046
公開番号（公開出願番号）：特表2006-509358
出願日： 2003年12月09日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

薄膜絶縁体上シリコン(TF-SOI)構造または薄膜絶縁体上ゲルマニウム(TF-GeOI)構造の上にCMOS画像センサーを作成する。基板の前面上に、光ダイオードをエピタキシャル成長で形成する。また、基板の前面上にセンサーマトリクス形状の金属接続層を積層する。TF-SOI基板またはTF-GeOI基板の前面の全体処理を完了した後、埋設絶縁層(埋設酸化層)下側の基板材を除去する。そして、酸化層の背面に一体構造体を形成する。その背面側に、所望の波長を透過する新規の基板を接合する。たとえば、新規の基板の例として、水晶、サファイヤ、ガラス、プラスチックなどが、可視光線透過に適切である。センサーマトリクス構造の背面入射が可能となり、CMOSが形成されている反対側の基板背面に形成された構造体へ光が入射できる。

請求項（抜粋）：

背面入射可能なCMOS画像センサーを製造する方法であって、 (a)薄膜絶縁体上シリコン(TF-SOI)基板、または、薄膜絶縁体上ゲルマニウム(TF-GeOI)基板を選択する工程と、 (b)基板の前面上に光ダイオード活性層をエピタキシャル成長にて作成する工程と、 (c)基板の前面上にセンサーマトリクス体の金属製の高密相互接続線を作成する工程と、 (d)TF-SOI基板またはTF-GeOI基板の前面側の全処理完了後に、埋設絶縁(酸化)層下方の基板を除去する工程と、 (e)埋設酸化層の背面上に一体化積層体を作成する工程と、 (f)所定の波長の光を透過させる新規素材の基板を、積層体背面に接合する工程とからなるCMOS画像センサー製造方法。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H01L 27/14

FI (4件)：

H01L27/14 C ,  H01L31/10 A ,  H01L27/14 A ,  H01L27/14 D

Fターム (28件)：

4M118AA04 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA05 ,  4M118CA03 ,  4M118CA05 ,  4M118CA14 ,  4M118FB03 ,  4M118FB09 ,  4M118FB13 ,  4M118FB16 ,  4M118FB24 ,  4M118GA02 ,  4M118GB04 ,  4M118GB07 ,  4M118GC08 ,  4M118GD04 ,  4M118GD11 ,  4M118HA25 ,  4M118HA26 ,  4M118HA27 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NB05 ,  5F049SS07 ,  5F049SZ06 ,  5F049UA01 ,  5F049UA20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-053514   出願人：富士通株式会社
• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-120020   出願人：シャープ株式会社