特許

J-GLOBAL ID：200903055138845227

固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 三浦 公大
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-120020
公開番号（公開出願番号）：特開2002-314061
出願日： 2001年04月18日
公開日（公表日）： 2002年10月25日
要約：

【要約】【課題】 光信号の低下を改善し、コスト削減を可能とする固体撮像装置を提供することを課題とする。【解決手段】 第1半導体基板上に、光情報を取り込み信号電荷に変換する光変換素子、金属体、第2半導体基板及び光変換素子に蓄積した信号電荷を読み出すための半導体素子がこの順で積層されてなり、第2半導体基板に、第1半導体基板と第2半導体基板とを電気的に接続するコンタクトが形成されてなることを特徴とする固体撮像装置により、上記の課題を解決する。

請求項（抜粋）：

第1半導体基板上に、光情報を取り込み信号電荷に変換する光変換素子、金属体、第2半導体基板及び光変換素子に蓄積した信号電荷を読み出すための半導体素子がこの順で積層されてなり、第2半導体基板に、第1半導体基板と第2半導体基板とを電気的に接続するコンタクトが形成されてなることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 E ,  H04N 5/335 U ,  H01L 27/14 A ,  H01L 31/10 A

Fターム (32件)：

4M118AA01 ,  4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118BA18 ,  4M118CA03 ,  4M118CA04 ,  4M118CA08 ,  4M118CB01 ,  4M118CB02 ,  4M118FB03 ,  4M118FB08 ,  4M118FB24 ,  4M118FB26 ,  4M118FB27 ,  4M118GA02 ,  4M118GB02 ,  4M118GB05 ,  4M118GB06 ,  4M118GB11 ,  4M118HA40 ,  5C024AX01 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5F049MA02 ,  5F049NA04 ,  5F049NA08 ,  5F049NA19 ,  5F049NB03 ,  5F049NB05 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 突起電極の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-290167   出願人：浜松ホトニクス株式会社
• 積層型固体撮像素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-118138   出願人：株式会社日立製作所