半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鈴江武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-147677
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017918
出願日： 1994年06月29日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】配線幅の異なる埋め込み配線層及びコンタクトホ-ル上に配置された埋め込み配線層を有し、それらの配線抵抗が制御された半導体装置とその製造方法を提供することである。【構成】シリコン基板11上にP-SiO膜13、SiN膜14を堆積させる。レジスト15aを用いてSiN膜14をエッチングしてコンタクトホ-ル用開口部21を形成する。全面にP-SiO膜16を堆積させ、レジスト15bをマスクにP-SiO膜16,13のエッチングを行い、コンタクトホ-ル22、埋め込み配線層用の第1の溝部23及び第2の溝部24を形成する。全面に導電物を堆積し後、CMP法を用いて導電層17、第1の埋め込み配線層18及び第2の埋め込み配線層19とが形成される。

請求項（抜粋）：

拡散層を有する半導体基板上に形成された第1絶縁膜と、上記第1絶縁膜上に形成された第2絶縁膜と、上記第2絶縁膜上に形成された第3絶縁膜と、上記第3絶縁膜に選択的に設けられ上記第2絶縁膜表面を露出させる複数の埋め込み配線層用溝部と、上記各埋め込み配線層用溝部に形成された複数の埋め込み配線層とをからなることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/3205

FI (2件)：

H01L 21/90 D , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭62-102544
特開平3-198327
多層配線の形成方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-238303 出願人：三菱電機株式会社

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