特許

J-GLOBAL ID：200903032987313670

半導体装置の製造方法およびそれに使用される半導体ウエハ並びにその製造方法

発明者： 佐藤 友美 ,  鈴木 範夫 ,  清水 博文 ,  小池 淳義 ,  前島 央 ,  金井 明
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立超エル・エス・アイ・エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-168190
公開番号（公開出願番号）：特開平8-339947
出願日： 1995年06月09日
公開日（公表日）： 1996年12月24日
要約：

【要約】【目的】 表裏判別可能なノッチ付きウエハを提供する。【構成】 ノッチ付きウエハ1のノッチ10における第1主面3の内周縁部に形成された第1ノッチ面取り部11の面取り角θ11が第2主面4の第2ノッチ面取り部12の面取り角θ12よりも小さく、面取り幅L11が面取り幅12よりも大きく設定されている。第1ノッチ面取り部11と第2ノッチ面取り部12との判別でノッチ付きウエハ1の表裏を判別して、IC製造方法の前工程において、ノッチ付きウエハ1のノッチ10の位置および表裏を揃えて扱う。【効果】 第1ノッチ面取り部と第2ノッチ面取り部とを反射光で光学的に判別してウエハ表裏を判別でき、ウエハの表面にICを作り込み裏面をハンドリングに使用するのを確実にする。ノッチ平面視の周方向形状は対称を維持するため、ウエハの対称性、IC取得数の低下を回避でき、ノッチの規格を維持できる。

請求項（抜粋）：

円周部に形成されたノッチが厚さの中心面に関して非面対称形に形成されている半導体ウエハが準備され、このノッチの非面対称形によって半導体ウエハの表側主面と裏側主面とが判別されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/02 ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 21/68

FI (3件)：

H01L 21/02 B ,  H01L 21/304 331 ,  H01L 21/68 L

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平2-144908
  
• 半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-313229   出願人：株式会社日立製作所

審査官引用 (2件)

• 特開平2-144908
  
• 半導体基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-313229   出願人：株式会社日立製作所