特許

J-GLOBAL ID：200903032988222644

半導体記憶装置

発明者： 伊藤 隆司
出願人/特許権者： 国立大学法人東北大学
代理人 (4件)： 重信 和男 ,  清水 英雄 ,  高木 祐一 ,  中野 佳直
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-114768
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287990
出願日： 2006年04月18日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】低電圧および低消費電力で駆動する不揮発型半導体記憶装置の構成に関わるものであり、産業上重要な半導体記憶装置の性能を飛躍的に向上させる手段を提供する。【解決手段】複数の溝を設けた半導体表面上に絶縁ゲート電界効果型トランジスタのソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域がそれぞれ位置され、該チャネル領域上に絶縁層を介して電荷蓄積領域を設けた。【選択図】図1a

請求項（抜粋）：

複数の溝を設けた半導体表面上に絶縁ゲート電界効果型トランジスタのソース領域、ドレイン領域、およびチャネル領域がそれぞれ位置され、該チャネル領域上に絶縁層を介して電荷蓄積領域を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。

IPC (4件)：

H01L 21/824 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L29/78 371 ,  H01L27/10 434

Fターム (25件)：

5F083EP03 ,  5F083EP17 ,  5F083EP23 ,  5F083ER02 ,  5F083ER21 ,  5F083FR05 ,  5F083GA30 ,  5F083HA08 ,  5F083HA10 ,  5F083JA02 ,  5F083JA04 ,  5F083JA15 ,  5F083JA38 ,  5F083PR05 ,  5F083PR06 ,  5F101BA12 ,  5F101BA42 ,  5F101BA45 ,  5F101BA47 ,  5F101BB05 ,  5F101BC03 ,  5F101BD05 ,  5F101BD13 ,  5F101BE07 ,  5F101BH15

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 不揮発性半導体記憶装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-237035   出願人：株式会社東芝