特許
J-GLOBAL ID：200903032999810629

半導体記憶装置およびデータ処理装置

発明者：
冨田 泰弘

冨田 泰弘 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-339407
公開番号（公開出願番号）：特開2003-141881
出願日： 2001年11月05日
公開日（公表日）： 2003年05月16日
要約：
【要約】【課題】 高集積化を実現する。多様なアプリケーションに対応する。【解決手段】 高速読み出し領域6に含まれているメモリセルからデータを読み出すときには当該メモリセルに対応したビット線上で2つのメモリセルが選択される。選択された2つのメモリセルの各々には互いに同一のデータが書き込まれている。したがって、通常読み出し領域5に含まれているメモリセルからデータを読み出すときと比べてビット線の電位変化を高速にすることができる。また、通常読み出し領域5と高速読み出し領域6とを単一のメモリアレイ1内に設けているため高集積化を実現することができる。
請求項（抜粋）：
通常読み出し領域および高速読み出し領域を有するメモリアレイと、前記通常読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出すときは当該メモリセルに対応するワード線を選択し、前記高速読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出すときは当該メモリセルに対応するワード線と前記高速読み出し領域に含まれている他のワード線とを選択する行デコーダと、データを読み出すべきメモリセルに対応するビット線を選択する列デコーダとを備え、前記高速読み出し領域に含まれているメモリセルからデータを読み出すときに前記行デコーダによって選択されるワード線と前記列デコーダによって選択される各ビット線とによって特定されるメモリセルの各々には同一のデータが書き込まれていることを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
G11C 16/02 ,  G11C 16/06
FI (5件)：
G11C 17/00 613 ,  G11C 17/00 633 A ,  G11C 17/00 634 A ,  G11C 17/00 612 F ,  G11C 17/00 611 E
Fターム (8件)：
5B025AA01 ,  5B025AA04 ,  5B025AC01 ,  5B025AD02 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AE05 ,  5B025AE07
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 特許第3623756号
  • 不揮発性半導体メモリ装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-253594   出願人：三洋電機株式会社
  • 特開平4-057293

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