特許

J-GLOBAL ID：200903033004364466

磁気RAM、磁気RAMの記録方法及び磁気RAMの読取方法

発明者： チーケンリム
出願人/特許権者： 三星電子株式会社
代理人 (3件)： 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-150182
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340824
出願日： 2005年05月23日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】 マルチビット磁気RAMとマルチビット磁気RAMの記録方法を提供する。【解決手段】 スイッチング素子と、スイッチング素子に連結された磁性記録体Sと、スイッチング素子と磁性記録体Sとの間に備えられた第1磁場発生手段と、磁性記録体に連結された第2磁場発生手段と、を備え、磁性記録体Sは、磁化方向が固定されたピンド膜上に順次に積層された、磁化が反転される第1磁性膜及び第2磁性膜と、ピンド膜と第1磁性膜の間に設けられた第1スペーサと、第1磁性膜と第2磁性幕間に設けられた第2スペーサと、を備え、ピンド膜、第1スペーサ及び第1磁性膜から形成された積層物の最大抵抗と最小抵抗との差と、第1磁性膜、第2スペーサ及び第2磁性膜から形成された積層物の最大抵抗と最小抵抗との差とが異なる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

スイッチング素子と、 前記スイッチング素子に連結された磁性記録体と、 前記スイッチング素子と前記磁性記録体との間に備えられた第1磁場発生手段と、 前記磁性記録体に連結された第2磁場発生手段と、を備え、 前記磁性記録体は、 磁化方向が固定されたピンド膜上に順次に積層された、磁化が反転される第1磁性膜及び第2磁性膜と、 前記ピンド膜と前記第1磁性膜の間に設けられた第1スペーサと、前記第1磁性膜と前記第2磁性幕間に設けられた第2スペーサと、を備え、 前記ピンド膜、前記第1スペーサ及び前記第1磁性膜から形成された積層物の最大抵抗と最小抵抗との差と、前記第1磁性膜、前記第2スペーサ及び前記第2磁性膜から形成された積層物の最大抵抗と最小抵抗との差とが異なることを特徴とする磁気RAM。

IPC (3件)：

H01L43/08 ,  G11C11/15 ,  H01L27/105

FI (5件)：

H01L43/08 Z ,  G11C11/15 110 ,  G11C11/15 140 ,  G11C11/15 150 ,  H01L27/10 447

Fターム (7件)：

5F083FZ10 ,  5F083MA06 ,  5F083MA19 ,  5F083NA01 ,  5F083PR39 ,  5F083PR40 ,  5F083ZA21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 磁気メモリ装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-072579   出願人：株式会社東芝