特許
J-GLOBAL ID：200903084908909253

磁気メモリ装置

発明者：
中 島 健太郎

中 島 健太郎 について

, 
猪 俣 浩一郎

猪 俣 浩一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 佐藤 一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-072579
公開番号（公開出願番号）：特開2000-331473
出願日： 2000年03月15日
公開日（公表日）： 2000年11月30日
要約：
【要約】【課題】 容量を可及的に大きくするとともに、高速かつ低消費電力化を実現することを可能にする。【解決手段】 強磁性導電層11,13,15とトンネルバリア層12,14とが交互に積層された強磁性多重トンネル接合を有する素子10を各々が有する複数のメモリセルと、強磁性多重トンネル接合に磁界を印加する磁界印加手段と、を備え、強磁性多重トンネル接合を構成する複数の強磁性導電層のうち、少なくとも3つの強磁性導電層が各々異なる保持力を有しており、これらの3つの強磁性導電層の磁化方向が磁界印加手段により独立に反転可能なように構成されている。
請求項（抜粋）：
強磁性導電層とトンネルバリア層とが交互に積層された強磁性多重トンネル接合を有する素子を各々が有する複数のメモリセルと、前記強磁性多重トンネル接合に磁界を印加する磁界印加手段と、を備え、前記強磁性多重トンネル接合を構成する複数の強磁性導電層のうち、少なくとも3つの強磁性導電層が各々異なる保持力を有しており、これらの3つの強磁性導電層のうち、少なくも2つの強磁性導電層の磁化方向が前記磁界印加手段により独立に反転可能なように構成されていることを特徴とする磁気メモリ装置。
IPC (3件)：
G11C 11/15 ,  G11C 11/14 ,  H01L 43/08
FI (3件)：
G11C 11/15 ,  G11C 11/14 A ,  H01L 43/08 Z
引用特許：
出願人引用 (4件)
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審査官引用 (4件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)

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