特許

J-GLOBAL ID：200903033008144371

電子線ホログラフィーによる素子評価方法及び評価用試料

発明者： 本田 耕一郎
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 石田 敬 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-072425
公開番号（公開出願番号）：特開2003-270312
出願日： 2002年03月15日
公開日（公表日）： 2003年09月25日
要約：

【要約】【課題】 GMRヘッドのような素子の強磁性シールド層などの磁性薄膜の磁化分布を視覚化して評価するのを可能にする方法を提供すること。【解決手段】 磁性物質21、24、25に隣接して、磁場を漏洩しない誘電物質22、23が存在する評価試料を用い、磁性物質の磁区分布を電子線ホログラフィーにより調べることで評価を行う。より具体的には、磁性物質の磁区分布を求めようとする断面に対して垂直な方向より試料に電子線を入射し、それにより磁性物質に隣接した誘電物質中に形成された電子線の位相のズレが最小となる条件で、試料中を通過する電子線の位相変化の分布を検知することにより、磁性物質中の磁化分布を求めることで素子の評価を行う。

請求項（抜粋）：

素子を構成する磁性物質の磁区分布を電子線ホログラフィーにより調べることで素子を評価する方法であって、評価試料として、該磁性物質に隣接して、磁場を漏洩しない誘電物質が存在するものを用いることを特徴とする素子評価方法。

IPC (5件)：

G01R 33/12 ,  G01N 23/04 ,  G01R 33/028 ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/455

FI (5件)：

G01R 33/12 Z ,  G01N 23/04 ,  G01R 33/028 ,  G11B 5/39 ,  G11B 5/455 C

Fターム (23件)：

2G001AA03 ,  2G001BA11 ,  2G001CA03 ,  2G001DA09 ,  2G001GA01 ,  2G001GA09 ,  2G001HA12 ,  2G001HA13 ,  2G001JA02 ,  2G001JA03 ,  2G001JA13 ,  2G001KA12 ,  2G001LA02 ,  2G001LA11 ,  2G001MA05 ,  2G017AA08 ,  2G017AD18 ,  2G017CA12 ,  2G017CB15 ,  5D034AA02 ,  5D034BA18 ,  5D034CA00 ,  5D034DA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 3次元磁場分布および3次元電流分布の計測方法並びに計測装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-037518   出願人：関西ティー・エル・オー株式会社
• 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-208401   出願人：ティーディーケイ株式会社