特許
J-GLOBAL ID：200903072461262577

磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド

発明者：
島沢 幸司

島沢 幸司 について


出願人/特許権者：
ティーディーケイ株式会社

ティーディーケイ株式会社 について


代理人 (1件)： 山本 恵一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-208401
公開番号（公開出願番号）：特開2002-025017
出願日： 2000年07月10日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：
【要約】【課題】 周波数特性を大幅に向上することができる、例えばTMR素子又はCPP-GMR素子を備えた、MR型薄膜磁気ヘッドを提供する。【解決手段】 下部シールド層と、上部シールド層と、下部シールド層及び上部シールド層間にこれら下部シールド層及び上部シールド層に電気的に導通して形成されており、積層面に垂直方向に電流が流れるMR積層体と、下部シールド層及び上部シールド層間に形成された絶縁体材料による絶縁ギャップ層とを備えており、この絶縁ギャップ層の少なくとも一部がAl2O3より誘電率の低い絶縁体材料で形成されている。
請求項（抜粋）：
下部シールド層と、上部シールド層と、該下部シールド層及び該上部シールド層間に該下部シールド層及び該上部シールド層に電気的に導通して形成されており、積層面に垂直方向に電流が流れる磁気抵抗効果積層体と、前記下部シールド層及び前記上部シールド層間に形成された絶縁体材料による絶縁ギャップ層とを備えており、該絶縁ギャップ層の少なくとも一部がAl2O3より誘電率の低い絶縁体材料で形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド。
IPC (2件)：
G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (2件)：
G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z
Fターム (6件)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BA08 ,  5D034BA15 ,  5D034BB08 ,  5D034CA08
引用特許：
審査官引用 (2件)

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