気相エピタキシャル成長方法及び成長装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-003761
公開番号（公開出願番号）：特開2000-203991
出願日： 1999年01月11日
公開日（公表日）： 2000年07月25日
要約：

【要約】【課題】気相エピタキシャル成長装置において、サセプタを高純度に保ちつつ、成長後の冷却時間とウェハ取り出し・基板セット時間とを短縮し、または切り離し、スループットを向上させることを可能とする。【解決手段】基板のセット・ウェハの取り出しを行うグローブボックス1と、搬送機構を有する搬送室2と、気相成長するための反応炉3という三つのチャンバー以外に、成長後のウェハを高純度に保ったまま冷却でき、かつウェハを支持するサセプタを二つ以上保持できる冷却チャンバー4を設け、該冷却チャンバー4を成長後のウェハの冷却待ちの場所として、また次成長基板をセットしたサセプタの成長待ちを行う場所として利用することにより、二つのサセプタで交互に成長を行う。

請求項（抜粋）：

グローブボックスで基板をセットしたサセプタを反応炉で気相成長させ、成長済のサセプタを冷却してグローブボックスでウェハの取り出しを行う気相エピタキシャル成長方法において、反応炉とグローブボックスとの間に、サセプタを二つ以上収納できる冷却チャンバーを設け、第1のサセプタにセットした基板が反応炉内で気相成長している間に、グローブボックスで基板をセットした第2のサセプタを冷却チャンバーに搬送し、そこで次成長待ちとして待機させておき、前記第1のサセプタでの成長終了後、反応炉の成長済みの第1のサセプタと、冷却チャンバーの成長待ちの第2のサセプタとのサセプタ交換を行い、前記第2のサセプタでの成長中に、成長済みの前記第1のサセプタの冷却、ウェハ取り出し、基板のセットを行い、その第1のサセプタを再び冷却チャンバーに送って次成長待ちとして待機状態におくことを特徴とする気相エピタキシャル成長方法。

IPC (3件)：

C30B 25/08 , C23C 16/44 , H01L 21/205

FI (3件)：

C30B 25/08 , C23C 16/44 Z , H01L 21/205

Fターム (32件)：

4G077DB01 , 4G077DB08 , 4G077EG13 , 4G077EG17 , 4G077EG22 , 4G077EG26 , 4G077HA06 , 4G077HA12 , 4G077TB05 , 4K030AA11 , 4K030BA35 , 4K030BB01 , 4K030EA01 , 4K030EA03 , 4K030GA02 , 4K030GA12 , 4K030HA13 , 4K030JA10 , 4K030KA08 , 4K030KA26 , 4K030KA28 , 4K030KA37 , 4K030KA39 , 4K030KA46 , 4K030KA49 , 4K030LA12 , 5F045AA03 , 5F045BB08 , 5F045DP01 , 5F045EB08 , 5F045EJ02 , 5F045EN04

引用特許：

審査官引用 (6件)

基板の処理方法及び処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-085106 出願人：株式会社日立製作所, 国際電気株式会社
真空処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-125218 出願人：テル・バリアン株式会社
特開平3-273606

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