特許

J-GLOBAL ID：200903077933593515

基板の処理方法及び処理装置

発明者： 井上 洋典 ,  鈴木 誉也 ,  渡辺 智司 ,  三瀬 信行 ,  内野 敏幸 ,  桜井 義彦 ,  内藤 孝男 ,  池田 文秀 ,  井ノ口 泰啓
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  国際電気株式会社
代理人 (1件)： 平木 祐輔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-085106
公開番号（公開出願番号）：特開平9-283589
出願日： 1996年04月08日
公開日（公表日）： 1997年10月31日
要約：

【要約】【課題】 基板冷却工程のプロセス時間に対する影響を小さくし、大きなスループットで処理可能とする。【解決手段】 単一の搬送手段4を備える基板搬送室3に、各々n(n≧1)枚の基板2を収納して高温処理できるm(m≧2)個の処理室1と1個の冷却室5とを連結し、冷却室5は全ての処理室1で処理したn×m枚以上の基板を同時に収納して冷却することにより高いスループットを達成する。

請求項（抜粋）：

単一の搬送手段を備える基板搬送室に、各々n(n≧1)枚の基板を収納して高温処理できるm(m≧2)個の処理室と1個の冷却室とが連結されている基板処理装置を用いて、前記搬送手段によりカセットに収納された基板を前記処理室に順次挿入して処理する工程と、処理後の高温の基板を前記搬送手段により前記冷却室に収納して冷却する工程とを含む基板の処理方法において、前記冷却室に前記高温の基板をn×m枚以上収納して冷却することを特徴とする基板の処理方法。

IPC (7件)：

H01L 21/68 ,  C23C 16/54 ,  C30B 29/06 504 ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31

FI (7件)：

H01L 21/68 A ,  C23C 16/54 ,  C30B 29/06 504 L ,  C30B 35/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 C ,  H01L 21/302 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197990   出願人：国際電気株式会社
• クラスタ型ホトリソグラフィシステム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-165361   出願人：セミコンダクタシステムズ,インコーポレイテッド