特許

J-GLOBAL ID：200903033063911411

CVD反応装置

発明者： 山口 太一 ,  大吉 孝恵 ,  河野 宰 ,  香川 昭 ,  長屋 重夫 ,  平野 直樹
出願人/特許権者： 株式会社フジクラ ,  中部電力株式会社
代理人 (1件)： 志賀 正武
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-177330
公開番号（公開出願番号）：特開平8-041647
出願日： 1994年07月28日
公開日（公表日）： 1996年02月13日
要約：

【要約】【目的】 均一な組成の厚みの被膜層を基体表面に形成できるCVD反応装置を提供する。【構成】 原料ガスのCVD反応による被膜層を基体3表面に形成させる反応チャンバ21と、該反応チャンバ21内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段25と、反応チャンバ21内のガスを排気するガス排気手段30と、基体3を反応チャンバ21内を移動させる基体移動手段35とを備える。原料ガス供給手段25は、原料ガスを基体3表面に向けて流すノズル26を有する。ノズル26に、原料ガスを絞り込んで拡散させる縮径部27を形成する。【効果】 原料ガスは、乱流となって基体に流れ、基体表面に被膜層を形成させるので、ノズルより広い領域にわたって一様な乱流を発生させることができ、基体表面に均一な組成の厚みの被膜層を形成させることができる。

請求項（抜粋）：

原料ガスをCVD反応させ、このCVD反応により被膜層を長尺の基体の表面に形成させる反応チャンバと、該反応チャンバ内に原料ガスを供給する原料ガス供給手段と、前記反応チャンバ内のガスを排気するガス排気手段と、前記基体を前記反応チャンバ内で移動させる基体移動手段とを備えたCVD反応装置であって、前記原料ガス供給手段は、前記原料ガスを基体表面に向けて流すノズルを有し、該ノズルには、原料ガスを絞り込んで拡散させる縮径部が形成されていることを特徴とするCVD反応装置。

IPC (3件)：

C23C 16/44 ,  C01G 1/00 ,  H01L 21/205

引用特許：

審査官引用 (2件)

• CVD反応装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-222269   出願人：株式会社フジクラ, 中部電力株式会社
• 特開昭62-228478