特許
J-GLOBAL ID：200903033065642604
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (7件)：
深見 久郎
, 森田 俊雄
, 仲村 義平
, 堀井 豊
, 野田 久登
, 酒井 將行
, 荒川 伸夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-283923
公開番号（公開出願番号）：特開2009-111265
出願日： 2007年10月31日
公開日（公表日）： 2009年05月21日
要約：
【課題】微細な抵抗値の調整が可能な抵抗素子を有しかつ小型の半導体装置を提供する。【解決手段】第1の抵抗素子R1は第1のシート抵抗を有する第1の薄膜F1を含んでいる。第1の抵抗素子R1に直列接続される第2の抵抗素子R2の複数の単位セルPは、同一の長方形状によって外縁が区画された平面パターンであり、第2の薄膜F2と絶縁部IPとを含んでいる。第2の薄膜F2は、長方形状の第1の角部C1に位置する第1の端子領域T1と、第1の角部と対角線に沿って対向する第2の角部C2に位置する第2の端子領域T2と、第1および第2の端子領域T1,T2を繋ぐ線状領域とに設けられている。第2の薄膜F2は第1のシート抵抗よりも小さい第2のシート抵抗を有している。絶縁部IPは長方形状の第3および第4の角部C3,C4を含むように設けられている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に設けられ、かつ互いに電気的に直列接続された第1および第2の抵抗素子とを備えた半導体装置であって、
前記第1の抵抗素子は第1のシート抵抗を有する第1の薄膜を含み、
前記第2の抵抗素子は複数の単位セルを含み、
前記複数の単位セルのそれぞれは、同一の長方形状によって外縁が区画された平面パターンであって、
前記長方形状の第1の角部に位置する第1の端子領域と、前記第1の角部と前記長方形状の対角線に沿って対向する第2の角部に位置する第2の端子領域と、前記第1および第2の端子領域を互いに繋ぐ線状領域とに設けられ、かつ第1のシート抵抗よりも小さい第2のシート抵抗を有する第2の薄膜と、
前記長方形状の第3および第4の角部を含むよう設けられた絶縁部とを含み、
前記複数の単位セルは、互いに隣り合う前記複数の単位セルが前記長方形状の1辺を共有するように配置されることにより、一体となった平面パターンを構成している、半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/04 V
, H01L27/04 P
5F038AR07
, 5F038AR08
, 5F038AR09
, 5F038AR13
, 5F038AR22
, 5F038AR23
, 5F038AR25
, 5F038AV10
, 5F038AV12
, 5F038BB05
, 5F038CA02
, 5F038CA06
, 5F038EZ20
