特許

J-GLOBAL ID：200903033070501733

半導体装置の製造方法

発明者： 野口 顕修
出願人/特許権者： 富士電機株式会社
代理人 (1件)： 山口 巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-006100
公開番号（公開出願番号）：特開平8-195361
出願日： 1995年01月19日
公開日（公表日）： 1996年07月30日
要約：

【要約】【目的】pn接合を有する半導体ウェハを積層して、縦横に切断する場合に形状不良となる半導体ウェハの外周部を支持治具に接着しないことによって、不良品を目視選別無しで選別し、製造コストの低減を図る。【構成】pn接合を有する半導体ウェハ10が積層された積層体1を支持治具4に載せ接着材5で接着し、切断し、柱状体2とする。積層体1の外周部8の柱状体2の断面は一部分円形となり形状不良の不良柱状体21となる。支持治具4に段差6を設け、不良柱状体22のある積層体1の外周部8を支持治具4に接着しないことで、切断時と洗浄時に不良柱状体22を良品柱状体21から切り離し選別する。

請求項（抜粋）：

pn接合を有する複数個の半導体ウェハがはんだ層もしくはアルミニウムとシリコンの合金層を介して積層された積層体に形成された後、方形に切断して得られる整流体とリード線と接合被覆膜とを有する半導体装置において、積層体の内周部が支持治具に接着されて、該積層体が切断されることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/301 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/304 311 ,  H01L 21/68 ,  H01L 21/329

FI (4件)：

H01L 21/78 Q ,  H01L 21/78 A ,  H01L 21/78 M ,  H01L 29/91 A

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 高圧半導体整流素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-184272   出願人：富士電機株式会社
• 特開昭63-286302