特許
J-GLOBAL ID：200903033070698103

多接合型薄膜太陽電池およびその製造方法

発明者：
藤掛 伸二

藤掛 伸二 について


出願人/特許権者：
株式会社富士電機総合研究所

株式会社富士電機総合研究所 について


代理人 (1件)： 篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-258511
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076396
出願日： 2000年08月29日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】複数のpin型セルを積層した多接合型薄膜太陽電池において、変換効率が高く、しかも製造の容易なa-Si太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】上側セルと下側セルとの境界部に下側セルの他の半導体層より低屈折率の半導体層、例えば、屈折率が2.5〜3のn型の微結晶シリコン層を設ける。製造方法としては,100°C以下の基板温度、且つ100倍以下の水素希釈度で製膜することにより、屈折率が3以下の微結晶シリコン層が得られる。
請求項（抜粋）：
複数のpin型セルを積層してなる多接合型薄膜太陽電池において、上側セルと下側セルとの境界をなす二つの層の少なくともいずれかまたはその一部が、その層またはその一部より上側の半導体層と比較して屈折率の低い低屈折率層であることを特徴とする多接合型薄膜太陽電池。
FI (2件)：
H01L 31/04 W ,  H01L 31/04 V
Fターム (10件)：
5F051AA04 ,  5F051AA05 ,  5F051CA03 ,  5F051CA05 ,  5F051CA09 ,  5F051CA15 ,  5F051CA36 ,  5F051DA04 ,  5F051DA17 ,  5F051DA18
引用特許：
審査官引用 (4件)
  • 特開昭63-077167
  • 特開昭59-125669
  • 光起電力素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-243303   出願人：キヤノン株式会社
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引用文献：
審査官引用 (1件)

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