特許
J-GLOBAL ID：200903033078648610

絶縁層及びその製造方法

発明者：
神 好人

神 好人 について

, 
斉藤 国夫

斉藤 国夫 について

, 
嶋田 勝

嶋田 勝 について


出願人/特許権者：
日本電信電話株式会社

日本電信電話株式会社 について


代理人 (3件)： 山川 政樹 ,  黒川 弘朗 ,  山川 茂樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-125720
公開番号（公開出願番号）：特開2005-311061
出願日： 2004年04月21日
公開日（公表日）： 2005年11月04日
要約：
【課題】シリコンの化合物では得られない高い誘電率を備えて所望の容量が確保されかつリーク電流が抑制された絶縁層を提供する。【解決手段】シリコン基板101の上に、ECRスパッタ法を用いてメタルモード膜を形成してプラズマを照射することで、アルミナからなる絶縁膜102aを形成し、この上に二酸化ハフニウム膜103を形成することで、これら2層により構成された絶縁層を形成し、シリコン基板101と高電気耐圧膜である絶縁膜102aとが接触した構造として低リーク電流化を実現し、この上の高誘電率膜である二酸化ハフニウム膜103により高誘電率を実現させる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基体に接して形成された第1絶縁膜と、 前記第1絶縁膜の上に接して形成された第2絶縁膜と から構成され、 前記第1絶縁膜は前記第2絶縁膜より高い絶縁性を備え、 前記第2絶縁膜は前記第1絶縁膜より高い誘電率を備える ことを特徴とする絶縁層。
IPC (13件)：
H01L21/316 ,  C23C14/35 ,  H01L21/28 ,  H01L21/283 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/105 ,  H01L27/108 ,  H01L29/78 ,  H01L29/786 ,  H01L43/08 ,  H01L43/10 ,  H01L43/12
FI (15件)：
H01L21/316 M ,  C23C14/35 F ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/283 B ,  H01L21/283 C ,  H01L43/08 Z ,  H01L43/10 ,  H01L43/12 ,  H01L29/78 301F ,  H01L29/78 301G ,  H01L27/10 444C ,  H01L27/10 651 ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617U ,  H01L29/78 617V
Fターム (71件)：
4K029BB02 ,  4K029BC00 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DC03 ,  4K029DC48 ,  4M104AA01 ,  4M104BB02 ,  4M104CC05 ,  4M104EE03 ,  4M104EE12 ,  4M104EE16 ,  4M104FF02 ,  4M104GG02 ,  4M104GG09 ,  5F058BA01 ,  5F058BD01 ,  5F058BD02 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD10 ,  5F058BF13 ,  5F058BF14 ,  5F058BJ01 ,  5F083AD16 ,  5F083AD17 ,  5F083AD60 ,  5F083FR01 ,  5F083FR06 ,  5F083GA06 ,  5F083JA03 ,  5F083JA05 ,  5F083JA06 ,  5F083JA19 ,  5F083JA20 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F110AA06 ,  5F110CC01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110DD13 ,  5F110EE03 ,  5F110FF01 ,  5F110FF04 ,  5F110FF09 ,  5F110FF10 ,  5F110FF27 ,  5F110FF28 ,  5F110FF31 ,  5F110FF36 ,  5F110GG02 ,  5F110GG12 ,  5F140AA24 ,  5F140AC39 ,  5F140BA01 ,  5F140BA20 ,  5F140BD01 ,  5F140BD02 ,  5F140BD04 ,  5F140BD06 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BE02 ,  5F140BE09 ,  5F140BE16 ,  5F140BE17 ,  5F140BF01 ,  5F140BF05
引用特許：
出願人引用 (2件)
  • 特許2814416号公報
  • 特許2779997号公報
審査官引用 (2件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM