特許
J-GLOBAL ID:200903033094503451

ドライエッチング方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平6-276432
公開番号(公開出願番号):特開平8-134666
出願日: 1994年11月10日
公開日(公表日): 1996年05月28日
要約:
【要約】【構成】 反応性ガスのプラズマを用いるドライエッチングにおいて、被エッチング材料をプラズマを発生させる交流電極に設置することを特徴とするドライエッチング方法。【効果】 従来用いてきたプラズマエッチング方法によるエッチング形状を著しく向上させ、とりわけ異方性エッチングを可能ならしめ、かつ高速度エッチングを可能ならしめ、かつ被エッチング材料表面に絶縁物の層が生成しないドライエッチング方法が提供される。
請求項(抜粋):
反応性ガスのプラズマを用いるドライエッチングにおいて、被エッチング材料を交流プラズマを発生させる交流電極に設置することを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件):
C23F 4/00 ,  H01L 21/3065
引用特許:
審査官引用 (7件)
  • 半導体装置の製造方法
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-061934   出願人:富士通株式会社, 富士通ヴィエルエスアイ株式会社
  • 特開平3-082120
  • 特開平4-348520
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