特許
J-GLOBAL ID：200903033114692752
発光基板の作製方法および発光素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
和泉 良彦 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-262866
公開番号（公開出願番号）：特開2002-076431
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月15日
要約：
【要約】【課題】簡易な作製工程で、表面領域にナノ粒子状鉄シリサイドを含有する層を形成することを可能とする発光基板の作製方法、および、その作製方法を用いて作製した発光素子を提供すること。【解決手段】(111)面を基板面とするシリコン基板1を、直径3〜15nmの酸化鉄(Fe2O3)ナノ粒子のアルコール懸濁液に浸し、酸化鉄ナノ粒子2をシリコン基板1に付着させた後、シリコン基板1を分子線エピタキシャル成長装置内で850〜900°Cに加熱することによって、酸化鉄ナノ粒子2を還元して鉄ナノ粒子3を形成し、その後、シリコン基板1の温度を520°Cとして、1200°Cに加熱したKセル源からシリコン原子を2nm堆積させ、鉄シリサイドナノ粒子4がシリコンカバー層5の中に埋め込まれた状態の発光基板とする発光基板の作製方法を構成する。
請求項（抜粋）：
シリコン層上に鉄酸化物のナノ粒子を付着させる工程と、該シリコン層上に付着した該鉄酸化物のナノ粒子の加熱処理により鉄のナノ粒子を形成する工程と、該鉄のナノ粒子上にシリコン薄層を形成することにより鉄シリサイドのナノ粒子を形成する工程とを有することを特徴とする発光基板の作製方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 33/00 A
, H01L 21/203 M
5F041AA14
, 5F041CA02
, 5F041CA33
, 5F041CA46
, 5F041CA66
, 5F041CA83
, 5F041CA85
, 5F103AA04
, 5F103DD30
, 5F103LL01
, 5F103NN01
