特許
J-GLOBAL ID：200903033143403336
半導体レーザの製造方法および集積光回路の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-084096
公開番号（公開出願番号）：特開2004-296560
出願日： 2003年03月26日
公開日（公表日）： 2004年10月21日
要約：
【課題】今後光通信においては波長多重伝送が主流になると予想されているが、主要部品である波長フィルタは高価で低コスト化の障害になっている。他方、2次元フォトニック結晶を用いれば導波路や波長フィルタ等を容易に作製できるが、光源となる一体形成可能なレーザの実用化は未だ遠い。【解決手段】101-n型GaAs基板、102-活性部分のn型AlGaAsクラッド層、105-GaInNAs/GaAs活性層、106-活性部分のp型AlGaAsクラッド層、107-p型GaAs電極コンタクト層、108-p側電極、109-n側電極、112-反射鏡部分のGaAsコア層、113-2次元フォトニック結晶を構成する穴(空気)、114-反射鏡部分のAl2O3クラッド層により、2次元フォトニック結晶内に作製される光導波路と一体形成可能な半導体レーザを構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
光を発生する活性部分と発生した光からレーザ光を得る為の1組以上の反射鏡部分を有する電流注入型半導体レーザであり、活性部分のクラッド層が半導体であり、反射鏡部分に所定の周期で配列することにより形成された屈折率周期構造を有する所謂2次元フォトニック結晶を有する半導体レーザの作製方法において、反射鏡部分と活性部分が同一基板結晶上にエピタキシャル成長され、エピタキシャル成長時のクラッド層の材料が同一のAlを含む半導体であり、反射鏡部分のクラッド層の少なくとも一部を選択酸化することにより絶縁体に変化させることを特徴とする半導体レーザの製造方法。
IPC (4件)：
H01S5/12
, G02B6/12
, G02B6/122
, H01S5/026
H01S5/12
, H01S5/026 618
, G02B6/12 B
, G02B6/12 Z
2H047KA03
, 2H047MA07
, 2H047PA06
, 2H047QA02
, 5F073AA45
, 5F073AA63
, 5F073AA74
, 5F073AA89
, 5F073AB21
, 5F073BA01
, 5F073CA04
, 5F073CB02
, 5F073DA24
, 5F073DA27
, 5F073EA04
