特許

J-GLOBAL ID：200903033165100582

化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法

発明者： 緒方 寿幸 ,  松丸 省吾 ,  羽田 英夫
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (5件)： 棚井 澄雄 ,  志賀 正武 ,  青山 正和 ,  鈴木 三義 ,  柳井 則子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-181067
公開番号（公開出願番号）：特開2006-002073
出願日： 2004年06月18日
公開日（公表日）： 2006年01月05日
要約：

【課題】 優れた解像性を有し、かつ発生する酸の強度が弱い酸発生剤を用いても良好にレジストパターンを解像できるポジ型レジスト組成物を構成できる高分子化合物、該高分子化合物を製造するのに好適な化合物、該高分子化合物を含有してなるポジ型レジスト組成物、および該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法を提供する。【解決手段】 下記一般式(1)で表される化合物。下記一般式(11)で表される構成単位(a1)を含むことを特徴とする高分子化合物。該高分子化合物を含有してなるポジ型レジスト組成物。該ポジ型レジスト組成物を用いたレジストパターン形成方法。【化1】【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)で表される化合物。

IPC (5件)：

C08F 20/28 ,  G03F 7/004 ,  G03F 7/033 ,  G03F 7/039 ,  H01L 21/027

FI (5件)：

C08F20/28 ,  G03F7/004 503A ,  G03F7/033 ,  G03F7/039 601 ,  H01L21/30 502R

Fターム (33件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE07 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB14 ,  2H025CB41 ,  2H025CB45 ,  2H025CB55 ,  2H025CB56 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL08Q ,  4J100AL08R ,  4J100AL62P ,  4J100AL66P ,  4J100BA02P ,  4J100BA02Q ,  4J100BA11R ,  4J100BC03P ,  4J100BC09Q ,  4J100BC53R ,  4J100CA03 ,  4J100CA04 ,  4J100CA05 ,  4J100DA01 ,  4J100DA65 ,  4J100JA38

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 特開平4-211258号公報
  
• 特許第2881969号公報
  

審査官引用 (1件)

• 熱定着方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-067563   出願人：コニカ株式会社