特許
J-GLOBAL ID：200903033169412287
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-238355
公開番号（公開出願番号）：特開平7-094507
出願日： 1993年09月24日
公開日（公表日）： 1995年04月07日
要約：
【要約】【目的】 半導体装置の配線に、Cuあるいはその合金,Agあるいはその合金を用いても、この配線が酸化しないようにすることを目的とする。【構成】 Cuからなる配線2をTiとWの合金の侵入型窒化物からなる酸化防止膜3で覆うように形成し、この上より層間絶縁膜4を形成する。
請求項（抜粋）：
Cuあるいはその合金,あるいはAgあるいはその合金からなる配線が形成された配線層が多層に形成された半導体装置であって、前記配線の少なくとも上部が2種類以上の高融点金属からなる合金の窒化物からなる酸化防止膜で被覆されていることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
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