特許
J-GLOBAL ID：200903033177549119
プラズマ処理装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石原 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-238705
公開番号（公開出願番号）：特開2006-339673
出願日： 2006年09月04日
公開日（公表日）： 2006年12月14日
要約：
【課題】ダストのない清浄な雰囲気での処理を実現できて微細加工デバイスの歩留りを向上できるプラズマ処理装置を提供する。【解決手段】真空容器1と、真空容器内を真空排気する排気手段と、真空容器内にガスを導入するガス導入手段と、被処理物を載置する電極と、真空容器1内において前記電極に対向して設けられたアンテナ5とを備えたプラズマ処理装置において、前記アンテナ5を覆うアンテナカバー21を設け、このアンテナカバー21はセラミックからなり、その表面に凹凸形状を有し、前記凹凸形状は、10〜30μmの高低差を有する第1の凹凸形状23と、前記第1の凹凸形状23の表面に形成したさらに細かい1〜5μmの高低差を有する第2の凹凸形状24からなり、かつ、前記第1の凹凸形状23は、1mmの範囲内に15〜30個形成した。【選択図】図2
請求項（抜粋）：
真空容器と、真空容器内を真空排気する排気手段と、真空容器内にガスを導入するガス導入手段と、被処理物を載置する電極と、真空容器内において前記電極に対向して設けられたアンテナとを備えたプラズマ処理装置において、
前記アンテナを覆うアンテナカバーを設け、このアンテナカバーはセラミックからなり、その表面に凹凸形状を有し、前記凹凸形状は、10〜30μmの高低差を有する第1の凹凸形状と、前記第1の凹凸形状の表面に形成されたさらに細かい1〜5μmの高低差を有する第2の凹凸形状からなり、かつ、前記第1の凹凸形状は、1mmの範囲内に15〜30個形成された
ことを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, C23C 16/44
, H01L 21/306
H01L21/205
, C23C16/44 J
, H01L21/302 101D
4K030FA01
, 4K030KA14
, 4K030KA45
, 5F004AA16
, 5F004BB29
, 5F004BB32
, 5F004BD01
, 5F004BD04
, 5F004DA23
, 5F045AA08
, 5F045BB15
, 5F045DP03
, 5F045EC05
, 5F045EH02
, 5F045EH03
