特許
J-GLOBAL ID：200903033190614213
炭化珪素、及び炭化珪素の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤村 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-123085
公開番号（公開出願番号）：特開平10-297998
出願日： 1997年04月26日
公開日（公表日）： 1998年11月10日
要約：
【要約】【課題】 反位相境界密度が低く結晶性や各種特性に優れた炭化珪素及びその製造方法を提供する。【解決手段】 結晶構造中に反位相境界6を含む炭化珪素3を成長させた後、該反位相境界6を挟んで隣り合う領域のうちどちらか一方の領域上に、該領域の最表面原子と同種の原子を吸着させることにより原子配列修正層7を形成する工程を介在させ、次いで炭化珪素をさらに成長させる。
請求項（抜粋）：
基板上にエピタキシャル成長して得られた単結晶炭化珪素であって、前記炭化珪素は、結晶構造中に反位相境界を含み、該反位相境界を挟んで隣り合う領域のうち少なくともどちらか一方の領域上に形成された原子配列修正層を介して炭化珪素が成長していることを特徴とする炭化珪素。
IPC (5件)：
C30B 29/36
, C23C 16/32
, H01L 21/203
, H01L 21/205
, H01L 21/208
C30B 29/36 A
, C23C 16/32
, H01L 21/203 S
, H01L 21/205
, H01L 21/208 Z
