特許
J-GLOBAL ID：200903063885143358

炭化珪素薄膜の製造方法

発明者：
北畠 真

北畠 真 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-237488
公開番号（公開出願番号）：特開平9-082643
出願日： 1995年09月14日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：
【要約】【課題】Si基板表面にヘテロエピタキシャル成長させることにより、Siウェハ上に結晶欠陥の少ない単相の3C-SiC単結晶薄膜を形成する方法を提供する。【解決手段】炭素を供給しSi基板表面を加熱することにより表面を炭化させて炭化珪素を形成する工程と、炭化後に炭素と珪素を供給して炭化珪素を成長させる工程からなり、前記Siのoffcut 基板表面にはテラス5とステップ6が多数存在した。これは、ステップエッジ10に平行な長く連なる原子列のP方向8と、ステップエッジ10に垂直でステップエッジ10により分断された短いテラス上の原子列のN方向7について異なった表面反応性を示すためである。この異方性によって、アンチフェーズバウンダリー(APB) を含まない結晶欠陥の少ない単相のSiC単結晶薄膜を形成可能とした。
請求項（抜粋）：
炭化珪素(Si-C)薄膜の製造方法であって、炭素を供給しSi基板表面を加熱することにより表面を炭化させて炭化珪素を形成する工程と、炭化後に炭素と珪素を供給して炭化珪素を成長させる工程からなり、前記Si基板表面に、異方性がありテラスとステップを形成することを特徴とする炭化珪素薄膜の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/203 ,  C30B 23/06 ,  H01L 21/20
FI (3件)：
H01L 21/203 M ,  C30B 23/06 ,  H01L 21/20
引用特許：
審査官引用 (4件)
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