酸化膜形成方法、MOSデバイス製造方法、MOSトランジスタ製造方法、SiOx粉末、及びSiOx粉末製造方法

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (2件)：工藤実 , 中尾圭策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-208641
公開番号（公開出願番号）：特開2009-041080
出願日： 2007年08月09日
公開日（公表日）： 2009年02月26日
要約：

【課題】ゲート絶縁膜としての使用に耐え得るような高品位の酸化膜を窒化物半導体の上に作成する。【解決手段】本発明による酸化膜形成方法は、SiOx粉末を原料として用いる真空蒸発により、窒化物半導体部材の上にSiOx膜を堆積する工程と、堆積された前記SiOx膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程と備えている。原料のSiOx粉末は、下記特性を有している:(1)フーリエ変換赤外分光分析(FTIR:Fourier Transform Infrared Spectroscopy)によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、880cm-1にピークが現れる。(2)ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、450〜550cm-1にピークが現れない。(3)X線光電子分光分析(XPS:X-ray photoelectron spectroscopy)によって得られたXPSスペクトルにおいて、SiO2のSi-O結合に対応するピーク(約103eV)とSiの2p軌道のSi-Si結合のピーク(約99eV)とが現れ、且つ、Si-Si結合のピークの高さが、Si-O結合のピークの高さの0.6倍以上である。【選択図】なし

請求項（抜粋）：

SiOx粉末を原料として用いる真空蒸発によりSiOx膜を堆積する工程と、堆積された前記SiOx膜を、酸化雰囲気で紫外線を照射しながら加熱することによって酸化する工程とを具備し、前記SiOx粉末は、下記条件(1)〜(3): (1)フーリエ変換赤外分光分析によって得られた赤外吸収スペクトルにおいて、880cm-1にピークが現れる。 (2)ラマン分光分析によって得られたラマンスペクトルにおいて、450〜550cm-1にピークが現れない。 (3)X線光電子分光分析によって得られたXPSスペクトルにおいて、Siの2p軌道のSi-Si結合の第1ピークとSiO2のSi-O結合に対応する第2ピークとが現れ、且つ、前記第1ピークの高さが前記第2ピークの高さの0.6倍以上である。を満足する酸化膜形成方法。

IPC (3件)：

C23C 14/06 , H01L 21/316 , C01B 33/12

FI (3件)：

C23C14/06 E , H01L21/316 X , C01B33/12 D

Fターム (25件)：

4G072AA25 , 4G072BB09 , 4G072GG02 , 4G072GG03 , 4G072HH04 , 4G072HH14 , 4G072JJ03 , 4G072NN09 , 4G072RR11 , 4G072RR30 , 4G072UU01 , 4K029BA46 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029DB05 , 4K029DB10 , 4K029GA01 , 5F058BA01 , 5F058BA20 , 5F058BB01 , 5F058BC02 , 5F058BF11 , 5F058BH03 , 5F058BH17 , 5F058BJ01

引用特許：

出願人引用 (1件)

SiOx粒子、その製造方法及び用途
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-132866 出願人：電気化学工業株式会社

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