特許
J-GLOBAL ID：200903036327713213
SiOx粒子、その製造方法及び用途
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-132866
公開番号（公開出願番号）：特開2004-331480
出願日： 2003年05月12日
公開日（公表日）： 2004年11月25日
要約：
【課題】シリコン集積回路におけるゲート酸化膜等を始めとするいろいろな用途に利用可能な、良好な絶縁破壊電圧を有する絶縁膜を提供する。【解決手段】Si粒子を内包していることを特徴とするSiOx(x=1.0〜2.0)粒子を含有するSiOx粉末を原料として、PVD蒸着して得られるSiOy膜(y=1.2〜1.8)若しくはSiOz膜(1.5≦z<2.0)であって、前記SiOx粉末は、反応容器内に、モノシランガスと、前記モノシランガスを酸化するための酸化性ガスと、必要に応じて両者を希釈するための希釈ガスと、を導入する際に、モノシランガスと酸化性ガスとを交互に前記反応容器内に供給することを特徴とする方法で得られる。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
Si粒子を内包していることを特徴とするSiOx(x=1.0〜2.0)粒子。
IPC (3件)：
C01B33/113
, C23C14/10
, H01L21/316
C01B33/113 Z
, C23C14/10
, H01L21/316 Y
4G072AA26
, 4G072AA38
, 4G072BB05
, 4G072BB09
, 4G072GG02
, 4G072GG03
, 4G072HH03
, 4G072JJ03
, 4G072LL02
, 4G072MM01
, 4G072RR03
, 4G072RR11
, 4G072TT01
, 4G072TT05
, 4G072UU01
, 4K029AA06
, 4K029AA24
, 4K029BA35
, 4K029BA46
, 4K029BC01
, 4K029BC02
, 4K029BD02
, 4K029CA01
, 4K029DA04
, 4K029DB01
, 5F058BA01
, 5F058BC02
, 5F058BD04
, 5F058BF11
, 5F058BJ01
, 5F058BJ02
, 5F058BJ03
