特許

J-GLOBAL ID：200903033223626204

カルコパイライト型化合物半導体の製造方法

発明者： 飯田 誠之 ,  打木 久雄 ,  内富 直隆 ,  青木 珠緒 ,  加藤 有行
出願人/特許権者： 科学技術振興事業団
代理人 (1件)： 西 義之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-052264
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237191
出願日： 2000年02月24日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】従来、その伝導型を制御することが困難であったI-III-VI2 族およびII-IV-V2 族化合物半導体のエピタキシャル結晶成長において伝導性制御を実現する方法を提供する。【構成】 I-III-VI2 族およびII-IV-V2 族化合物半導体のエピタキシャル結晶成長を行う際に、構成原料を完全分離、交互供給し、両性不純物(Ζnなど)を選択的に添加することを特徴とするカルコパイライト型化合物半導体(CuGaS2 など)の製造方法。

請求項（抜粋）：

I-III-VI2 族およびII-IV-V2 族化合物半導体において、両性不純物を添加することでn型半導体およびp型半導体を形成することを特徴とする化合物半導体の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 ,  H01S 5/30 ,  H01L 29/861

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 33/00 D ,  H01S 5/30 ,  H01L 29/91 F

Fターム (27件)：

5F041AA11 ,  5F041CA02 ,  5F041CA37 ,  5F041CA46 ,  5F041CA53 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F045AA04 ,  5F045AB28 ,  5F045AC01 ,  5F045AC09 ,  5F045AC16 ,  5F045AC19 ,  5F045AD09 ,  5F045AF04 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DQ06 ,  5F045DQ08 ,  5F045EE12 ,  5F045EE15 ,  5F045EE19 ,  5F045EK22 ,  5F073CA23 ,  5F073CB15 ,  5F073EA05

引用文献：

審査官引用 (1件)

• 原料交互供給下での気相成長CuGaS2層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性