文献

J-GLOBAL ID：200902180116773813   整理番号：00A0020866

原料交互供給下での気相成長CuGaS₂層へのZn不純物の選択的添加と成長層の特性

Site-selective Zn doping for CuGaS₂ layers grown by Vapor Phase Epitaxy under alternate source feeding condition.

著者 (6件)： 中垣雄一朗 (長岡技科大) ,  熊倉弘道 (長岡技科大) ,  加藤有行 (長岡技科大) ,  青木(松本)珠緒 (長岡技科大) ,  内富直隆 (長岡技科大) ,  飯田誠之 (長岡技科大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告  (IEICE Technical Report (Institute of Electronics, Information and Communication Engineers))
巻： 99  号： 361(CPM99 87-101)  ページ： 45-50  発行年： 1999年10月15日 
JST資料番号： S0532B  ISSN： 0913-5685  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CuCl,diethylegalliumchloride(D...

シソーラス用語： *銅化合物 ,...

   続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=00A0020866&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=S0532B") }}

分類 (1件)： 固体デバイス材料  (NC03020K)

引用文献 (11件)：

• NAKAMURA, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1999, 38, L226
• REINHOLD, B. J. Crystal Growth. 1999, 204, 434
• 磯村滋宏. 応用物理. 1974, 43, 1184
• MITOMO, J. Inst. Phys. Conf. Ser. 1998, 152, 337
• KOBAYASHI, S. Jpn. J. Appl. Phys. 1987, 26, 220

タイトルに関連する用語 (5件)： 原料 ,  気相成長 ,  Zn ,  不純物 ,  成長