液晶ディスプレイ

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：園田吉隆 , 小林義教
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-243409
公開番号（公開出願番号）：特開2008-046655
出願日： 2007年09月20日
公開日（公表日）： 2008年02月28日
要約：

【課題】ピクセル口径比(開口率)を増大し、静電容量性クロストークを減少させたTFTアレイ、およびそのTFTアレイを有するアクティブ・マトリックス方式の液晶ディスプレイ、および製造方法を提供すること。【解決手段】複数のコンタクト・バイアスあるいは開口部を有するフォトイメージ形成型絶縁層をアドレス線とピクセル電極間に設け、両者を重複可能とする。この絶縁層により静電容量性クロストークを減少し、かつピクセル開口率を増加させる。フォトイメージ形成型絶縁層の厚さは、前記重複領域で約1.5μmから2.5μmであり、前記液晶ディスプレイは少なくとも約65%のピクセル口径比と約40から500μmのピクセル間隔を有する。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

A) 第一基板、第二基板と、 B) 上記第一基板と第二基板間に挟まれた液晶層と、 C) 上記第一基板上に設けられ、複数のゲートアドレス線及びドレインアドレス線を接続させた薄膜トランジスタ(TFT)のアレイと、 D) 上記第一基板上に設けられかつ実質的に透明なピクセル電極のアレイであって、該ピクセル電極のアレイ中の複数の該ピクセル電極がゲートアドレス線及びドレインアドレス線の少なくとも1つと重なるピクセル電極のアレイと、 E) 上記TFTのソース電極と重複する領域及び隣接する領域において、上記ゲートアドレス線及びドレインアドレス線の少なくとも1つと上記ピクセル電極との間の上記第一基板上に設けたフォトイメージ形成型絶縁層であって、前記絶縁層の厚さは、前記重複領域で約1.5μmから2.5μmであり、前記液晶ディスプレイは少なくとも約65%のピクセル口径比と約40から500μmのピクセル間隔を有することを特徴とする液晶ディスプレイ。

IPC (3件)：

G02F 1/136 , H01L 21/336 , H01L 29/786

FI (3件)：

G02F1/1368 , H01L29/78 612Z , H01L29/78 619A

Fターム (65件)：

2H092GA29 , 2H092JA26 , 2H092JA35 , 2H092JA46 , 2H092JB05 , 2H092JB52 , 2H092JB61 , 2H092KA05 , 2H092KA12 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092KB11 , 2H092KB22 , 2H092KB25 , 2H092MA04 , 2H092MA10 , 2H092MA12 , 2H092MA17 , 2H092MA19 , 2H092MA24 , 2H092MA27 , 2H092NA01 , 2H092NA07 , 2H092PA09 , 5F110AA02 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD04 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE14 , 5F110EE44 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF05 , 5F110FF09 , 5F110FF24 , 5F110FF27 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG15 , 5F110GG25 , 5F110GG35 , 5F110GG42 , 5F110HK02 , 5F110HK03 , 5F110HK04 , 5F110HK09 , 5F110HK16 , 5F110HK21 , 5F110HK25 , 5F110HK32 , 5F110HL07 , 5F110NN04 , 5F110NN27 , 5F110NN28 , 5F110NN36 , 5F110NN40 , 5F110NN73 , 5F110QQ09 , 5F110QQ19

引用特許：

審査官引用 (7件)

アクティブマトリクス基板
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-347349 出願人：ソニー株式会社
特開平4-220625
特開昭62-036687

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