特許
J-GLOBAL ID：200903033262829066

磁気抵抗素子、それを用いたメモリ素子、メモリセル及びメモリ素子の記録再生方法

発明者：
西村 直樹

西村 直樹 について


出願人/特許権者：
キヤノン株式会社

キヤノン株式会社 について


代理人 (1件)： 金田 暢之 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078471
公開番号（公開出願番号）：特開2002-280639
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月27日
要約：
【要約】【課題】メモリ素子などに用いられる磁気抵抗素子において、ピン層からの静磁界によりメモリ層の反転磁界がオフセットすることを抑制する。【解決手段】膜面垂直方向に磁化した第1磁性層1と、絶縁層N2と、膜面垂直方向に磁化した第2磁性層2とが順に積層されてなり、第2磁性層2の保磁力が第1磁性層1の保磁力より高く、第1磁性層1と第2磁性層2の磁化の相対角度により第1磁性層1と第2磁性層2の間に絶縁層N2を介して電流を流した際の抵抗値が異なる磁気抵抗素子において、第2磁性層2から第1磁性層1に印加される磁界が第1磁性層1の保磁力よりも小さくなるようにする。
請求項（抜粋）：
膜面垂直方向に磁化した第1磁性層と、絶縁層と、膜面垂直方向に磁化した第2磁性層とが順に積層されてなり、前記第2磁性層の保磁力が前記第1磁性層の保磁力より高く、前記第1磁性層と前記第2磁性層の磁化の相対角度により前記第1磁性層と前記第2磁性層間に前記絶縁層を介して電流を流した際の抵抗値が異なる磁気抵抗素子において、前記第2磁性層から前記第1磁性層に印加される磁界が前記第1磁性層の磁化飽和磁界よりも小さいことを特徴とする磁気抵抗素子。
IPC (6件)：
H01L 43/08 ,  G11C 11/14 ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  H01L 27/105 ,  G11B 5/39
FI (6件)：
H01L 43/08 Z ,  G11C 11/14 A ,  G11C 11/15 ,  H01F 10/08 ,  G11B 5/39 ,  H01L 27/10 447
Fターム (14件)：
5D034BA03 ,  5D034BA04 ,  5D034BB14 ,  5D034CA08 ,  5E049AA01 ,  5E049AA04 ,  5E049AA09 ,  5E049AC05 ,  5E049BA08 ,  5E049BA16 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA09 ,  5F083GA11 ,  5F083JA60
引用特許：
審査官引用 (3件)

前のページに戻る

TOP

BOTTOM