特許

J-GLOBAL ID：200903033272239615

SiC単結晶基板の製造方法、及びSiC単結晶基板

発明者： 矢代 弘克 ,  藤本 辰雄 ,  大谷 昇 ,  星野 泰三 ,  中林 正史 ,  澤村 充 ,  柘植 弘志 ,  勝野 正和 ,  藍郷 崇 ,  巽 宏平
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (4件)： 成瀬 勝夫 ,  中村 智廣 ,  鳥野 正司 ,  佐々木 一也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-299033
公開番号（公開出願番号）：特開2008-103650
出願日： 2006年11月02日
公開日（公表日）： 2008年05月01日
要約：

【課題】SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板を両面ラップ研磨してSiC単結晶基板を製造する際に、SiC単結晶基板に生じる反りを軽減することができるSiC単結晶基板の製造方法を提供する。【解決手段】SiC単結晶インゴットからスライスして得られた基板に両面ラップ研磨を施し、得られたSiC単結晶基板に、1300°C以上2000°C以下の温度で焼鈍熱処理を施す。焼鈍熱処理の雰囲気は、炭化珪素非腐食性ガス雰囲気とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

両面ラップ研磨後のSiC単結晶基板を1300°C以上2000°C以下の温度で焼鈍熱処理することを特徴とするSiC単結晶基板の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 ,  C30B 29/36 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/324

FI (5件)：

H01L21/304 622P ,  C30B29/36 A ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 X ,  H01L21/304 622W

Fターム (13件)：

4G077AA02 ,  4G077AB09 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077DA18 ,  4G077FE02 ,  4G077FE11 ,  4G077FG11 ,  4G077FG17 ,  4G077GA06 ,  4G077HA02 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-297064   出願人：新日本製鐵株式会社

審査官引用 (4件)

• 炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-297064   出願人：新日本製鐵株式会社
• 単結晶サファイア基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-338846   出願人：京セラ株式会社
• ランガサイト型酸化物単結晶ウェハの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-368642   出願人：日本ビクター株式会社
• 加工装置および方法、この装置を用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-285318   出願人：株式会社ニコン