特許

J-GLOBAL ID：200903096810657483

炭化珪素単結晶ウェハの製造方法、および炭化珪素単結晶ウェハ

発明者： 藤本 辰雄 ,  矢代 弘克 ,  勝野 正和 ,  大谷 昇
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (5件)： 八田 幹雄 ,  野上 敦 ,  奈良 泰男 ,  齋藤 悦子 ,  宇谷 勝幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-297064
公開番号（公開出願番号）：特開2004-131328
出願日： 2002年10月10日
公開日（公表日）： 2004年04月30日
要約：

【課題】この発明は、表面平坦性の良好な炭化珪素単結晶ウェハ、及びその安定製造に関する方法を提供することを目的とする。【解決手段】炭化珪素単結晶より切断加工された炭化珪素単結晶材に、1300°C以上2000°C以下の温度で焼鈍熱処理を施し、しかる後に表面に研磨処理等々の機械加工を実施する。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

炭化珪素単結晶インゴットから切り出された薄板状炭化珪素単結晶材を1300°C以上2000°C以下の温度で焼鈍熱処理したことを特徴とする炭化珪素単結晶ウェハの製造方法。

IPC (3件)：

C30B29/36 ,  C30B33/02 ,  H01L21/324

FI (3件)：

C30B29/36 A ,  C30B33/02 ,  H01L21/324 X

Fターム (8件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077DA02 ,  4G077FE02 ,  4G077FE13 ,  4G077FG12 ,  4G077HA06 ,  4G077HA12

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 炭化珪素単結晶の製造方法及びその装置並びに炭化珪素単結晶インゴット
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-084852   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素エピタキシャル基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-058922   出願人：新日本製鐵株式会社
• 炭化珪素基板、炭化珪素基板の製造方法、酸化膜被覆基板、酸化膜被覆基板の製造方法および電子素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-186523   出願人：日本碍子株式会社, 財団法人ファインセラミックスセンター