特許
J-GLOBAL ID：200903033287180960
半導体光機能素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
稲垣 清 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-108606
公開番号（公開出願番号）：特開平10-303494
出願日： 1997年04月25日
公開日（公表日）： 1998年11月13日
要約：
【要約】【課題】 半導体光増幅器素子にあっては利得の偏波依存性が小さく、可視光又は赤外レーザにあっては活性層からクラッド層への電子のオーバーフローを抑制して温度特性の良好な半導体光機能素子を提供する。【解決手段】 本半導体光増幅器10は、InP基板上に作成した素子長600μm の半導体光増幅器であって、圧縮歪量子井戸の活性層20と伸張歪量子井戸の活性層24との間にクラッド層の導電型とは異なる導電型のキャリア注入層22を有する層構造を備える。中央電極34と上部電極32との間でキャリア注入層22、活性層24及び上部クラッド層28を経由する電流通路を形成し、また中央電極34と下部電極36との間でキャリア注入層22、活性層20及び下部クラッド層16を経由する電流経路を形成している。
請求項（抜粋）：
それぞれが第一導電型の下部クラッド層及び上部クラッド層と、下部クラッド層と上部クラッド層との間に挟まれ、クラッド層よりも禁制帯幅の小さい活性層と、活性層中に中間層として介在する第二導電型の膜厚の薄いキャリア注入層とを備え、活性層が、キャリア注入層と下部クラッド層とに挟まれた下側活性層と、キャリア注入層と上部クラッド層とに挟まれた上側活性層とにそれぞれキャリア注入層により分割され、キャリア注入層と上部クラッド層との間、及びキャリア注入層と下部クラッド層との間にそれぞれ電流経路が形成されていることを特徴とする半導体光機能素子。
引用特許：
前のページに戻る
