光起電力装置

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：鳥居洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-257818
公開番号（公開出願番号）：特開2006-128630
出願日： 2005年09月06日
公開日（公表日）： 2006年05月18日
要約：

【課題】この発明は、プラズマCVD法による非晶質系半導体薄膜層を形成した以降の加熱工程で太陽電池の出力特性の低下を抑制することを課題とする。【解決手段】この発明は、n型単結晶シリコン基板と水素を含有するp型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記p型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。このトラップ層により、真性な非晶質シリコン層からp型非晶質シリコン層への水素拡散を抑制する。【選択図】図3

請求項（抜粋）：

結晶系半導体基板と、この結晶系基板上に設けられる水素を含有する実質的に真性な非晶質系半導体薄膜層と、この真性な非晶質系半導体薄膜上に設けられる水素を含有する荷電子制御された非晶質系半導体薄膜層と、前記荷電子制御された非晶質系半導体薄膜層と前記真性な非晶質系半導体薄膜層との間に設けられ、前記真性な非晶質系半導体薄膜層から前記荷電子制御された非晶質系半導体薄膜層への水素拡散を抑制する水素拡散抑制領域と、を備えたことを特徴とする光起電力装置。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 N

Fターム (10件)：

5F051AA05 , 5F051CA02 , 5F051CA03 , 5F051CA13 , 5F051CA15 , 5F051DA04 , 5F051FA04 , 5F051GA04 , 5F051GA14 , 5F051HA20

引用特許：

出願人引用 (1件)

光起電力装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-268199 出願人：三洋電機株式会社

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