特許
J-GLOBAL ID:200903061875090792
光起電力装置
発明者:
,
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
目次 誠 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-268199
公開番号(公開出願番号):特開2002-076409
出願日: 2000年09月05日
公開日(公表日): 2002年03月15日
要約:
【要約】【課題】 互いに逆導電型の関係を有する結晶系半導体基板11と非晶質半導体膜14の接合部に、薄膜の真性非晶質半導体膜12,13が挿入された光起電力装置において、接合部における光生成キャリアの再結合を低減し、光電変換効率を向上させる。【解決手段】 真性非晶質半導体膜12,13の光学的バンドギャップが、非晶質半導体膜14と接する側において広くなっていることを特徴としている。
請求項(抜粋):
互いに逆導電型の関係を有する結晶系半導体基板と非晶質半導体膜の接合部に、薄膜の真性非晶質半導体膜が挿入された光起電力装置であって、前記真性非晶質半導体膜の光学的バンドギャップが前記非晶質半導体膜と接する側において広くなっていることを特徴とする光起電力装置。
FI (2件):
H01L 31/04 B
, H01L 31/04 A
Fターム (6件):
5F051AA02
, 5F051AA05
, 5F051CA03
, 5F051DA04
, 5F051DA11
, 5F051GA04
引用特許:
出願人引用 (14件)
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光起電力装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-105002
出願人:三洋電機株式会社
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光起電力装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-105001
出願人:三洋電機株式会社
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特開平2-260664
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特開平4-286167
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半導体装置とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-221178
出願人:キヤノン株式会社
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特開昭59-075682
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-325715
出願人:三洋電機株式会社
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-329264
出願人:三洋電機株式会社
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特開昭58-067073
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特開平3-084966
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ヘテロ接合を有する光起電力装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-290191
出願人:三洋電機株式会社
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光起電力素子およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-278991
出願人:三洋電機株式会社
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特開昭61-030079
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太陽電池
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-156994
出願人:株式会社日立製作所
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審査官引用 (7件)
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光起電力装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-105002
出願人:三洋電機株式会社
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光起電力装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平5-105001
出願人:三洋電機株式会社
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特開平2-260664
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特開平4-286167
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半導体装置とその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平3-221178
出願人:キヤノン株式会社
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特開昭59-075682
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光起電力素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-325715
出願人:三洋電機株式会社
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