特許

J-GLOBAL ID：200903033310009122

エピタキシャル膜成長法

発明者： 白木 靖寛 ,  深津 晋 ,  奥村 健治 ,  大森 宣典 ,  奥 秀彦
出願人/特許権者： 大同ほくさん株式会社
代理人 (1件)： 西藤 征彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-068807
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283437
出願日： 1993年03月26日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 プロセス間移行中における半導体層の表面汚染を防止することのできる優れたエピタキシャル膜成長法を提供する。【構成】 基板1表面にエピタキシャル膜6を成長させる際に、反応空間を、まず圧力が10-1Torr〜常圧で温度が900°C以上に設定して所定厚みのエピタキシャル膜6を成長させ、ついで圧力が10-6〜10-2Torrで温度が800°C以下の設定に切り替えて上記エピタキシャル膜6表面に極薄エピタキシャル膜6を成長させるとともに最表面に水素単原子層を形成するようにした。

請求項（抜粋）：

基板表面にエピタキシャル膜を成長させる際に、反応条件を、まず下記の(A)に設定して所定厚みのエピタキシャル膜を成長させ、ついで下記の(B)に設定して上記エピタキシャル膜表面に極薄エピタキシャル膜を成長させるとともに最表面に水素単原子層を形成するようにしたことを特徴とするエピタキシャル膜成長法。(A)圧力が10-1Torr〜常圧で温度が900°C以上。(B)圧力が10-6〜10-2Torrで温度が800°C以下。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C30B 25/14 ,  H01L 21/20