特許

J-GLOBAL ID：200903033372943387

誘電体膜の形成方法および誘電体膜

発明者： 篠田 智隆 ,  山田 欣司 ,  柄沢 武 ,  松下 賢一郎 ,  奥村 勝弥
出願人/特許権者： JSR株式会社 ,  ウシオ電機株式会社 ,  株式会社オクテック
代理人 (3件)： 大渕 美千栄 ,  布施 行夫 ,  井上 一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-047621
公開番号（公開出願番号）：特開2004-259869
出願日： 2003年02月25日
公開日（公表日）： 2004年09月16日
要約：

【課題】誘電体膜の形成において、プロセス温度の低温化を実現し、かつより短時間で広面積の処理を可能にすることにより、生産性を大幅に向上することができる誘電体膜の形成方法および誘電体膜を提供する。【解決手段】本発明の誘電体膜の形成方法は、(A)有機金属化合物および(B)有機金属化合物の加水分解縮合物の少なくとも一方を含む塗布液を用いて誘電体前駆体膜を形成し、フラッシュランプ1を用いて前記誘電体前駆体膜に対して光照射を行なうことにより、誘電体膜を形成すること、を含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

(A)有機金属化合物および(B)有機金属化合物の加水分解縮合物の少なくとも一方を含む塗布液を用いて誘電体前駆体膜を形成し、 フラッシュランプを用いて前記誘電体前駆体膜に対して光照射を行なうことにより、誘電体膜を形成すること、 を含む、誘電体膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  C01G23/00 ,  C01G35/00

FI (3件)：

H01L21/316 G ,  C01G23/00 C ,  C01G35/00 C

Fターム (22件)：

4G047CA07 ,  4G047CB06 ,  4G047CC02 ,  4G047CD02 ,  4G047CD08 ,  4G048AA05 ,  4G048AB02 ,  4G048AC02 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE08 ,  5F058BA01 ,  5F058BA11 ,  5F058BC03 ,  5F058BC05 ,  5F058BD04 ,  5F058BD07 ,  5F058BF46 ,  5F058BF47 ,  5F058BH01 ,  5F058BJ04 ,  5F058BJ10

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-245714   出願人：株式会社東芝