特許
J-GLOBAL ID:200903033383457735
半導体製造装置用加熱体
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
中野 稔
, 山口 幹雄
, 二島 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-017783
公開番号(公開出願番号):特開2006-210467
出願日: 2005年01月26日
公開日(公表日): 2006年08月10日
要約:
【課題】 昇温開始から冷却終了までの間の温度分布をより均一にできる加熱体及びこれを搭載した装置を提供する。【解決手段】 本発明の半導体製造装置用加熱体は、被処理物を載置あるいは一定の距離を離して加熱する加熱面を有する基材と抵抗発熱体とから構成される加熱体であって、前記基材の熱容量が、該基材内で分布を形成することを特徴とする。前記基材もしくは基材の一部が、1種の金属あるいは2種以上の金属の複合体または合金からなることが好ましい。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
被処理物を載置あるいは一定の距離を離して加熱する加熱面を有する基材と抵抗発熱体とから構成される加熱体であって、前記基材の熱容量が、該基材内で分布を形成することを特徴とする半導体製造装置用加熱体。
IPC (4件):
H01L 21/02
, H05B 3/10
, H05B 3/74
, H01L 21/027
FI (4件):
H01L21/02 Z
, H05B3/10 C
, H05B3/74
, H01L21/30 567
Fターム (13件):
3K092PP20
, 3K092QA05
, 3K092QB02
, 3K092QB44
, 3K092QB76
, 3K092RF03
, 3K092RF09
, 3K092RF11
, 3K092RF26
, 3K092SS12
, 3K092VV15
, 3K092VV22
, 5F046KA04
引用特許:
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