特許
J-GLOBAL ID:200903088381999963

半導体製造装置用ヒータモジュール

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 山本 正緒
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-163747
公開番号(公開出願番号):特開2004-014655
出願日: 2002年06月05日
公開日(公表日): 2004年01月15日
要約:
【課題】半導体製造装置の大型化やコスト増を伴うことなく、加熱後のヒータの冷却速度を従来よりも格段に高めることができ、生産性の改善向上に寄与し得るヒータモジュール、及びこれを用いた半導体製造装置を提供する。【解決手段】ヒータモジュールは、表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部1aと、ヒータ部1aに対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部1aの裏面に当接又は分離してヒータ部1aとの合計熱容量を変えるためのブロック部3aとを備えている。ブロック部1bの熱容量をヒータ部1aとブロック部1bの合計熱容量の20%以上とすることで、ヒータ冷却速度を10°C/分以上にすることができる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
表面上にウエハを載置して加熱制御するヒータ部と、ヒータ部に対し相対的に移動可能に設けられ、ヒータ部の裏面に当接又は分離してヒータ部との合計熱容量を変えるためのブロック部とを備えることを特徴とする半導体製造装置用ヒータモジュール。
IPC (3件):
H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/3065
FI (3件):
H01L21/205 ,  C23C16/46 ,  H01L21/302 101G
Fターム (12件):
4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030GA02 ,  4K030KA23 ,  4K030KA26 ,  4K030KA46 ,  5F004AA16 ,  5F004BB32 ,  5F004BD04 ,  5F045AA03 ,  5F045BB08 ,  5F045EJ06
引用特許:
審査官引用 (2件)

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