特許

J-GLOBAL ID：200903033387670018

スパッタリングターゲット及びその製造方法ならびに半導体素子

発明者： 永田 長寿 ,  西野 勇
出願人/特許権者： 同和鉱業株式会社
代理人 (1件)： 阿仁屋 節雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-216350
公開番号（公開出願番号）：特開平10-060632
出願日： 1996年08月16日
公開日（公表日）： 1998年03月03日
要約：

【要約】【課題】 耐酸化性、耐腐食性、耐エレクトロマイグレーション性、耐ストレスマイグレーション性に優れたスパッタリングターゲット及びこのスパッタリングターゲットにより配線された銅配線を持つ半導体素子を提供する。【解決手段】ガス成分を除いた純度99.9999重量%以上の銅を基体金属として、酸素濃度0.1容量ppm以下の雰囲気で、上記基体金属の溶解と鋳造を行う。得られた鋳塊に機械加工と中間焼鈍を行い、その後有機洗浄とエッチングを行ってスパッタリングターゲットとを得る。

請求項（抜粋）：

銅を主成分とするスパッタリングターゲットであって、0.001重量ppm以上、0.03重量ppm以下の酸素(O)を含有することを特徴とするスパッタリングターゲット。

IPC (4件)：

C23C 14/34 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/285 301

FI (4件)：

C23C 14/34 A ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/285 S ,  H01L 21/285 301 Z

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 単結晶銅ターゲットおよびその製造法とそれを用いた半導体内部配線
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-181361   出願人：同和鉱業株式会社