露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：長尾達也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-132624
公開番号（公開出願番号）：特開2000-323396
出願日： 1999年05月13日
公開日（公表日）： 2000年11月24日
要約：

【要約】【課題】短い波長の露光光を露光光源として用いる場合においても、露光時には露光光が十分透過するようにする一方、汚染物質を分解・排除する作業時には該作業を効率的に行うことのできる露光方法、露光装置、およびデイバイス製造方法を提供すること。【解決手段】光源からの光によってマスクに形成されたパターンで基板を露光する露光方法または装置であって、前記光源からの前記光を酸素に当てることでオゾンを形成し、該オゾンによって少なくとも一部の光学部材の汚染物質を除去する段階または手段を含み、あるいは、光源からの露光光によって、マスクに形成されたパターンを光学系を通して基板上に転写する露光方法または装置であって、露光時には前記光源から前記基板までの光学系の酸素濃度を低く保つようにする一方、光学部材の汚染物質を分解・排除する作業時には前記露光時よりも酸素濃度が高くなるように、酸素濃度の制御を行う露光方法または露光装置を提供し、また該方法を用いたデイバイス製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

光源からの光によってマスクに形成されたパターンで基板を露光する露光方法であって、前記光源からの前記光を酸素に当てることでオゾンを形成し、該オゾンによって少なくとも一部の光学部材の汚染物質を除去する段階を含むことを特徴とする露光方法。

IPC (2件)：

H01L 21/027 , G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 516 F , G03F 7/20 521 , H01L 21/30 503 G , H01L 21/30 515 D

Fターム (1件)：

5F046DD06

引用特許：

審査官引用 (4件)

投影露光装置、露光方法、半導体デバイスの製造方法、および投影光学系の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-106487 出願人：株式会社ニコン
露光装置の光学調整方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-340653 出願人：株式会社ニコン
露光装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-046519 出願人：株式会社ニコン

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