特許
J-GLOBAL ID：200903033402610701
半導体装置及び半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-350531
公開番号（公開出願番号）：特開平10-189964
出願日： 1996年12月27日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：
【要約】【課題】 横型高耐圧MOSFETの耐圧向上の為に設けられた拡散領域の濃度を安定化する。【解決手段】 LOCOS酸化膜とドレイン領域との一番深い界面領域Xより深い位置に、一導電型の高耐圧用拡散領域の濃度ピークCPを設定する。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、前記半導体基板に形成される逆導電型のドレイン領域と、前記ドレイン領域に形成されたLOCOS酸化膜と、前記LOCOS酸化膜の直下に所定の幅を有し、前記ドレイン領域に形成される空乏層の広がりを抑制する一導電型の高耐圧用拡散領域と、前記ドレイン領域に形成された逆導電型の高濃度ドレイン領域と、チャネルを形成する一導電型のウェル領域と、前記LOCOS酸化膜上に形成されたゲート電極とを有し、前記LOCOS酸化膜と前記ドレイン領域との一番深い界面領域より深い位置に、前記一導電型の高耐圧用拡散領域の濃度ピークが設定されたことを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 29/78 301 W
, H01L 21/76 S
