特許

J-GLOBAL ID：200903033412686684

プロトン導電体の製造方法

発明者： 大友 順一郎 ,  高橋 宏 ,  脇 慶子 ,  小倉 賢 ,  小林 武史
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 曉司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-038453
公開番号（公開出願番号）：特開2004-247253
出願日： 2003年02月17日
公開日（公表日）： 2004年09月02日
要約：

【課題】高温での耐久性に優れ、安価で、充分な量のプロトン導電性化合物を含有し、安定した高いプロトン導電度を有するプロトン導電体を提供する。【解決手段】比表面積200〜1000m2/g、細孔の最頻直径2〜20nm、細孔容量0.3〜3ml/gのシリカと硫酸水素セシウム水溶液とを接触させることを特徴とするプロトン導電体の製造方法。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

比表面積200〜1000m2/g、細孔の最頻直径2〜20nm、細孔容量0.3〜3ml/gのシリカと硫酸水素セシウム水溶液とを接触させることを特徴とするプロトン導電体の製造方法。

IPC (2件)：

H01B13/00 ,  H01B1/06

FI (2件)：

H01B13/00 Z ,  H01B1/06 A

Fターム (6件)：

5G301CA02 ,  5G301CD01 ,  5G301CE01 ,  5H026AA06 ,  5H026HH02 ,  5H026HH04